InAs 纳米点量子阱隧穿中的充电控制
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
使用扫描隧道显微镜对石墨上沉积的 InAs 纳米晶进行隧道光谱测量，采用双隧道结配置。实验和理论模型研究了器件对称性对隧道光谱的影响。当 tip 缩回时，我们观察到通过纳米晶态而无需充电的共振隧穿。这与使用链态分子锚定在金属上的类似纳米晶的先前测量不同，后者在充电的情况下进行。当减小 tip-纳米晶距离，使器件更对称时，充电现象会重新出现。还讨论了电压在两个隧道结之间的分配对测量光谱的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0103110,
title = {Control of charging in resonant tunneling through InAs nanocrystal quantum dots},
author = {David Katz and Oded Millo and Shi-Hai Kan and Uri Banin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0103110},
year = {2009}
}
备注
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