声子辅助共振隧穿及其声子调控
介观与纳米尺度物理
2016-10-04 v1
摘要
我们在 InAs 量子点的隧穿微分电导中观察到了一系列尖锐的共振特征。我们发现，耗散量子隧穿对纳米器件的运行有显著影响。由于这种隧穿，在原子力显微镜针尖与 InAs/GaAs 量子点表面之间形成的隧穿结的电流-电压特性展现出许多有趣的峰值。我们发现这些峰的数量、位置和高度与所涉及的声子模式有关。为了描述所发现的效应，我们使用了准经典近似。在该近似下，隧穿电流与稀薄 instanton-anti-instanton 气的产生有关。我们的实验数据可以用一个精确可解模型很好地描述，在该模型中，一个带电粒子与两个和外部介质相关的促进声子模式发生弱相互作用。我们得出结论，通过适当选择材料中存在的相关声子，可以调控隧穿纳米电子器件的特性。
引用
@article{arxiv.1610.00245,
title = {Phonon assisted resonant tunnelling and its phonons control},
author = {F. V. Kusmartsev and V. D. Krevchik and M. B. Semenov and D. O. Filatov and A. V. Shorokhov and A. A. Bukharaev and Y. Dakhnovsky and A. V. Nikolaev and N. A. Pyataev and R. V. Zaytsev and P. V. Krevchik and I. A. Egorov and K. Yamamoto and A. K. Aringazin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.00245},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 4 figures, JETP Lett. (2016)