通过生长参数调节 InAs 量子点共振隧穿的起始电压
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们研究了嵌入共振隧穿二极管中的自组装 InAs 量子点基态能量的尺寸依赖性。在电流-电压特性中观察到的单个电流台阶被归因于通过单个 InAs 量子点基态的共振单电子隧穿。结果表明，观察到的第一个台阶的起始电压随 InAs 覆盖量的增加从 200 mV 系统性地降低至 0。我们将其与生长在 AlAs 上的 InAs 量子点的覆盖量依赖尺寸相关联。该结果得到了参考样品的原子力显微图像和光致发光实验的证实。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210375,
title = {Tuning the onset voltage of resonant tunneling through InAs quantum dots by growth parameters},
author = {I. Hapke-Wurst and U. Zeitler and U. F. Keyser and K. Pierz and Z. Ma and R. J. Haug},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210375},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 3 figures