InAs 量子点中自旋依赖隧穿的磁场诱导奇点
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v3
摘要
在磁场下探讨穿过嵌入 GaAs-AlAs-GaAs 隧穿器件中单个InAs量子点的共振隧穿引起的电流步。实验结果表明，在高场下这些步演化为显著增强的电流峰。这可以理解为由于隧穿电子在量子点上与Landau量化的三维发射器中部分自旋偏 polarized 的Fermi海之间的库仑相互作用导致的场诱导Fermi边缘奇点。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0003400,
title = {Magnetic-field-induced singularities in spin dependent tunneling through InAs quantum dots},
author = {I. Hapke-Wurst and U. Zeitler and H. Frahm and A. G. M. Jansen and R. J. Haug and K. Pierz},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0003400},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures