涉及亚稳态的单 InAs/GaAs 量子点共振隧穿
量子物理
2007-08-20 v1
摘要
我们提出并实施了一种通过半导体量子点亚稳态进行共振隧穿的方案，利用导电原子力显微镜在光照下研究了生长在 GaAs(001) 上的独立式 InAs 量子点的输运特性。该亚稳态是通过在 InAs 量子点的价能级捕获一个光生费米空穴而实现的。由于亚稳态的存在，可以在室温下观察到单量子点的共振隧穿。隧穿电流的幅度取决于势垒排列和量子点周围光生空穴的浓度，但当量子点高度在 1.8 至 9.9 nm 之间变化时，发现其保持稳定，这与提出的模型非常吻合。该实验展示了一种利用外延量子点中共振隧穿的奇异性来放大光电流的室温运行单电子器件解决方案。
引用
@article{arxiv.0708.2332,
title = {Metastable state involved resonant tunneling through single InAs/GaAs quantum dot},
author = {TianXin Li and PingPing Chen and DaYuan Xiong and ZhaoLin Liu and XuMing Zhang and ChangSheng Xia and ZhiFeng Li and XiaoShuang Chen and Wei Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.2332},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 6 figures