电子经由嵌入含 AlAs 插入层肖特基二极管的 InAs/GaAs 量子点的共振隧穿
介观与纳米尺度物理
2007-12-07 v1
摘要
采用分子束外延技术制备了自组装 InAs/GaAs 量子点肖特基共振隧穿二极管。借助薄 AlAs 插入势垒，有效降低了热电流，并在 77K 的相对较高温度下，观测到了正向和反向偏置条件下电子穿过量子点的共振隧穿现象。研究发现量子点的基态位于 GaAs 基体导带下方约 0.19eV 处。理论计算与实验数据相符。
引用
@article{arxiv.0712.0980,
title = {Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer},
author = {Jie Sun and Peng Jin and Chang Zhao and Like Yu and Xiaoling Ye and Bo Xu and Yonghai Chen and Zhanguo Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.0980},
year = {2007}
}