GaAs 中嵌入砷化铒量子点由 Kondo 共振介导的金属-绝缘体转变
强关联电子
2017-11-06 v1
摘要
我们报道了含有致密 ErAs 量子点阵列的 GaAs 结构中的反常临界输运行为。该结构显示出电压（电场）控制的绝缘体到金属转变，以及在类 Kondo 电流-温度特征中的强滞回，其临界温度高达 50 K。我们将此行为归因于阵列的库仑阻塞被解除后量子点之间强烈的分布 Kondo 共振。这与我们在 Voigt 构型中观测到的相变对微小外磁场的高敏感性一致，也符合基于量子点内 RKKY 相互作用及量子点间协同 Kondo 共振的唯象模型。
引用
@article{arxiv.1711.01188,
title = {Kondo-Resonance Mediated Metal-Insulator Transition in GaAs Embedded with Erbium Arsenide Quantum Dots},
author = {W-D. Zhang and E. R. Brown and A. D. Feldman and T. E. Harvey and R. P. Mirin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.01188},
year = {2017}
}
备注
15 pages, 6 figures