近藤关联量子点透射相移的低温行为

我们研究了在低于近藤温度 ($T < T_{\rm K}$) 的温度下，GaAs 异质结构中一个近藤关联量子点的透射相移，在该温度下，对于理想的近藤单重态基态，相移预期会在 $\pi/2$ 处呈现一个平台。我们的器件被调节到能级宽度 $\Gamma$ 与充电能 $U$ 之比 $\Gamma/U$ 相当大（$\lesssim 0.5$ 而非 $\ll 1$）。这种情况通常用于 GaAs 量子点，以确保近藤温度足够高（此处 $\simeq 100$ mK）以便实验可及；然而，这也意味着电荷涨落比通常假设的理论研究（这些研究关注于确保明确定义局域磁矩所需的 $\Gamma/U \ll 1$ 区域）更为显著。我们测量的相位在两个库仑峰之间单调演化 $\pi$，但由于大 $\Gamma/U$ 的显著影响，在 $T \ll T_{\rm K}$ 的近藤谷中并未锁定在 $\pi/2$。只有当 $\Gamma/U$ 充分减小时，相位才开始在 $\pi/2$ 附近锁定，并发展成一个 $\pi/2$ 的平台。我们的观察与数值重整化群计算一致，并且可以被理解为弗里德尔求和规则的直接结果，该规则将透射相移与点的局域占据数，以及费米能量附近共振能级透射系数的热平均联系起来。