近藤区侧耦合多能级双量子点的输运

我们分析了侧耦合构型下双量子点器件的输运性质。一个具有单个相关电子能级的小量子点 (QD) 耦合到源极和漏极电极。一个考虑其多能级特性的大量子点通过隧道效应与小量子点耦合。费米液体分析表明，该器件的低温电导由双量子点的总电子占据数决定。当小量子点处于近藤区时，大量子点中的偶数个电子会导致电导达到幺正极限，而对于奇数个电子，则观察到两阶段近藤效应，且电导受到强烈抑制。第二阶段近藤效应的近藤温度受到大量子点多能级结构的强烈影响。随着能级间距的增加，当能级间距变得与较大的近藤温度相当时，会出现从大近藤温度区到小近藤温度区的交叉。