自组装 InAs 量子点横向耦合纳米间隙电极中的高近藤温度 (TK ~ 80 K)
介观与纳米尺度物理
2008-08-20 v1
摘要
我们通过在单个自组装 InAs 量子点 (QD) 上直接形成纳米间隙金属电极，制备了单电子隧穿结构。制备的样品表现出清晰的库仑阻塞效应。此外，当使用直径约 100 nm 的大量子点实现电极与量子点之间的强耦合时，观察到了清晰的近藤效应。根据近藤谷处线性电导的温度依赖性，确定近藤温度 TK 约为 81 K。这是迄今为止在人工量子纳米结构中报道的最高 TK。
引用
@article{arxiv.0808.2535,
title = {High Kondo temperature (TK ~ 80 K) in self-assembled InAs quantum dots laterally coupled to nanogap electrodes},
author = {K. Shibata and K. Hirakawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.2535},
year = {2008}
}
备注
3 pages, 3 figures