GaN/AlN 共振隧穿二极管中可重复的室温负微分电导
介观与纳米尺度物理
2017-11-01 v1
摘要
采用分子束外延在商用体 GaN 衬底的 (0001) 面上生长了双势垒 GaN/AlN 共振隧穿异质结构。制备了共振隧穿二极管；室温电流-电压测量表明，在正向偏置下存在负微分电导区，其峰值电流密度约为 6.4 ，峰谷电流比约为 1.3。反向偏置工作表现出一个与异质结构中存在的极化场密切相关的特征开启阈值电压。我们建立了一个解析静电模型以刻画极性异质结构基共振隧穿二极管的独特特征；将共振电压和阈值电压均推导为设计参数与极化场的函数。后续测量证实了负电导的可重复性，并表明 III 族氮化物隧穿异质结构能够在室温下实现稳健的共振输运。
引用
@article{arxiv.1606.08100,
title = {Repeatable Room Temperature Negative Differential Conductance in GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes},
author = {Jimy Encomendero and Faiza Afroz Faria and S. M. Islam and Vladimir Protasenko and Sergei Rouvimov and Patrick Fay and Debdeep Jena and Huili Grace Xing},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.08100},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 5 figures