通过极化工程演示 GaN 中的正向带间隧穿
材料科学
2011-12-30 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了显示正向隧穿特性的 GaN 带间隧道结的设计、制备和表征。我们在等离子体辅助分子束外延生长的极化工程 GaN/InGaN/GaN 异质结二极管中实现了非常高的正向隧穿电流（10 mV 时为 153 mA/cm²，峰值电流为 17.7 A/cm²）。我们还报告了在带间 III 族氮化物隧道结中观察到可重复的负微分电阻，室温下峰谷电流比（PVCR）为 4。本工作实现的正向电流密度满足多结太阳能电池的典型电流驱动要求。
引用
@article{arxiv.1108.4075,
title = {Demonstration of Forward Inter-band Tunneling in GaN by Polarization Engineering},
author = {Sriram Krishnamoorthy and Pil Sung Park and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.4075},
year = {2011}
}
备注
3 figures