通过等离子体源氮化生长的外延氮化铝隧道势垒
介观与纳米尺度物理
2008-06-03 v1 超导电性
摘要
利用在 10^{-3} 至 10^{-1} mbar 压力范围内运行的电感耦合等离子体源产生的远程氮等离子体，实现了具有氮化铝势垒的高临界电流密度（10 至 420 kA/cm^2）超导体 - 绝缘体 - 超导体隧道结。我们发现与之前的工作相比，其重现性和可控性显著提高。从电流 - 电压特性和截面透射电子显微镜（TEM）图像推断，与常用的 AlO_x 势垒相比，多晶 AlN 势垒在透射率上更加均匀，从而在高临界电流密度下具有更好的质量。
引用
@article{arxiv.0711.2221,
title = {Epitaxial aluminium-nitride tunnel barriers grown by nitridation with a plasma source},
author = {T. Zijlstra and C. F. J. Lodewijk and N. Vercruyssen and F. D. Tichelaar and D. N. Loudkov and T. M. Klapwijk},
journal= {arXiv preprint arXiv:0711.2221},
year = {2008}
}
备注
3 pages, 3 figures, accepted for publication in APL