等离子体辅助分子束外延生长的单晶 N 极性 GaN p-n 二极管
材料科学
2017-06-23 v1
摘要
通过等离子体辅助分子束外延生长，在单晶 N 极性 GaN 体晶圆上实现了 N 极性 GaN p-n 二极管。电流-电压特性显示出高质量的整流和电致发光特性，具有高开关电流比和带间光子发射。测得的电致发光光谱以强近带边发射为主，而深能级发光被极大抑制。极低的位错密度导致了高反向击穿电场。低漏电流的 N 极性二极管为极化工程的光子和电子器件开辟了若干潜在应用。
引用
@article{arxiv.1706.02439,
title = {Single-Crystal N-polar GaN p-n Diodes by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy},
author = {YongJin Cho and Zongyang Hu and Kazuki Nomoto and Huili Grace Xing and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.02439},
year = {2017}
}
备注
13 pages, 3 figures, to appear in Applied Physics Letters