基于图形化蓝宝石衬底上 V 坑形 GaN 生长的 InGaN/GaN 多量子阱与发光二极管
介观与纳米尺度物理
2016-12-20 v1 光学
摘要
GaN 基发光二极管中由位错诱导的 V 坑缺陷被认为有利于电致发光，因为它们能释放 InGaN 量子阱中的应变，并增强通过 V 坑侧壁的空穴横向注入。本文中，在传统 c 面锥形图形化蓝宝石衬底上通过金属有机气相外延生长的 c 面 GaN 上，形成了规则排列的 V 坑。通过改变生长温度可以调节 V 坑的尺寸和平坦 GaN 的面积。在这种 V 坑形 GaN 上生长了五对 InGaN/GaN 多量子阱以及发光二极管结构。在光致发光和阴极发光光谱中均出现的约 410 nm 和 450 nm 两个峰，分别来自 V 坑侧壁上的半极性 InGaN/GaN 多量子阱和 c 面 InGaN/GaN 多量子阱。此外，当发光二极管在小注入电流下工作时，其表面可观察到密集的亮点，这被认为是由于 V 坑周围增强的空穴注入所致。
引用
@article{arxiv.1612.06355,
title = {InGaN/GaN Multi-Quantum-Well and Light-Emitting Diode Based on V-pit-Shaped GaN Grown on Patterned Sapphire Substrate},
author = {Lai Wang and Xiao Meng and Di Yang and Zilan Wang and Zhibiao Hao and Yi Luo and Changzheng Sun and Yanjun Han and Bing Xiong and Jian Wang and Hongtao Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.06355},
year = {2016}
}