InGaN LED 中与位错和铟液滴相关的发光不均匀性
材料科学
2021-12-02 v1 介观与纳米尺度物理
应用物理
摘要
本报告对在独立 GaN 衬底上通过等离子体辅助分子束外延生长的 InGaN 量子阱蓝光发光二极管中出现的发光不均匀性进行了分类。通过结合空间分辨电致发光与阴极发光测量、原子力显微镜、扫描电子显微镜以及热湿 KOH 腐蚀，所识别的不均匀性可分为四类。此处标记为 I 至 IV 型，它们可通过尺寸、密度、能量、强度、辐射与电子特性以及与位错相关的化学腐蚀坑加以区分。I 型表现出约 120 meV 的 InGaN 量子阱发光蓝移，这归因于有源区的扰动，该扰动与金属富 InGaN 生长条件下表面形成的铟液滴有关。具体而言，我们将蓝移归因于液滴下方 InGaN 量子阱生长速率及铟掺入量的降低，推测这是由于 N₂ 形成增加导致掺入的 N 物种减少所致。液滴的位置与 I 型缺陷的混合类型位错相关。II 至 IV 型分别由螺位错、刃位错和位错丛聚引起，并因漏电流和非辐射复合而形成暗斑。
引用
@article{arxiv.2106.10809,
title = {Dislocation and Indium Droplet Related Emission Inhomogeneities in InGaN LEDs},
author = {Len van Deurzen and Mikel Gómez Ruiz and Kevin Lee and Henryk Turski and Shyam Bharadwaj and Ryan Page and Vladimir Protasenko and Huili and Xing and Jonas Lähnemann and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.10809},
year = {2021}
}
备注
11 pages, 8 figures