非极性 InGaN 量子阱中密度激活载流子扩散诱导的缺陷复合
介观与纳米尺度物理
2013-09-20 v1 材料科学
摘要
我们报道了在 a 面 InGaN 单量子阱中，高激发密度下载流子扩散诱导的缺陷发射现象。当在相对较高的区域增加激发密度时，我们观察到与缺陷相关的发射出现，同时带边发射效率显著降低。实验结果可以通过从局域态到缺陷态的密度激活载流子扩散很好地解释。这种密度激活缺陷复合的情景，经光致发光对激发光子能量和温度的依赖性所证实，是 a 面 InGaN 量子阱发光二极管效率下降 (efficiency droop) 的一个合理起源。
引用
@article{arxiv.1306.5292,
title = {Defect recombination induced by density-activated carrier diffusion in nonpolar InGaN quantum wells},
author = {Fan Yang and Chunfeng Zhang and Chentian Shi and Min Joo Park and Joon Seop Kwak and Sukkoo Jung and Yoon-Ho Choi and Xuewei Wu and Xiaoyong Wang and Min Xiao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.5292},
year = {2013}
}
备注
15 pages, 4 figures