激发依赖的能带结构变化对 InGaN 发光二极管效率的影响
光学
2015-05-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
纤锌矿量子阱中的能带结构特性会因量子限制斯塔克效应的屏蔽而随载流子密度显著变化。描述了一种将这些变化纳入 InGaN 发光二极管模型的方法。通过求解包络近似下的泊松方程和 方程，计算了不同载流子密度下的能带结构。该信息被用作动量分辨电子和空穴态布居数动力学模型的输入。通过模拟器件内量子效率随激发的变化，说明了该方法的适用性。
引用
@article{arxiv.1107.0620,
title = {Influences of excitation-dependent bandstructure changes on InGaN light-emitting diode efficiency},
author = {Weng W. Chow},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.0620},
year = {2015}
}