InGaN/GaN量子阱中的载流子局域化机制
介观与纳米尺度物理
2014-01-16 v1
摘要
利用有效质量薛定谔方程的数值解，计算了InGaN/GaN量子阱中电子和空穴的局域化长度。我们将铟原子的分布视为随机的，并发现由此产生的合金浓度涨落可以局域化载流子。通过使用局部变化的铟浓度函数，我们计算了带隙涨落、形变势以及自发极化和压电场对载流子势能的贡献。我们考虑了阱宽涨落的影响，发现这些涨落有助于电子局域化，但对空穴局域化没有贡献。我们还模拟了低温光致发光光谱，发现与实验吻合良好。
引用
@article{arxiv.1006.1232,
title = {Carrier localization mechanisms in InGaN/GaN quantum wells},
author = {D. Watson-Parris and M. J. Godfrey and P. Dawson and R. A. Oliver and M. J. Galtrey and M. J. Kappers and C. J. Humphreys},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.1232},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 7 figures