InGaN 量子阱中长程载流子扩散的观测及其从基础到器件的启示
材料科学
2021-05-19 v1 应用物理
摘要
对高质量 InGaN 量子阱的光致发光测量表明，室温下载流子横向扩散距离可达数十微米。该行为对激发密度有显著依赖，与通常所预期的短扩散长度形成对比。数据可由一个考虑完整载流子复合动力学的扩散模型很好地解释，该动力学由时间分辨测量获得。这些观测对于理解 III-族氮化物发光体的高效率具有重要意义，同时也有助于正确解读光致发光实验并设计高效的小尺度器件。
引用
@article{arxiv.2104.07199,
title = {Observation of long-range carrier diffusion in InGaN quantum wells, and implications from fundamentals to devices},
author = {Aurelien David},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.07199},
year = {2021}
}