InGaN/GaN多量子阱中的载流子复合动力学
材料科学
2010-08-11 v3
摘要
我们在前所未有的强度范围内测量了InGaN/GaN多量子阱中的载流子复合动力学。我们发现，在短于30纳秒的时间内，它们遵循指数形式，而在长于1微秒的时间内则遵循幂律。为了解释这种双相动力学，我们提出了一个简单的三能级模型，其中电荷分离态通过隧穿机制与辐射态发生电荷转移相互作用。我们展示了电荷分离态中距离的分布如何控制长时间尺度下的动力学。我们的结果表明，电荷复合发生在近乎孤立的局域中心团簇上。
引用
@article{arxiv.1004.2463,
title = {Carrier recombination dynamics in InGaN/GaN multiple quantum wells},
author = {Colin-N. Brosseau and Mathieu Perrin and Carlos Silva and Richard Leonelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.2463},
year = {2010}
}
备注
11 pages, 3 figures, accepted for publication in PHYSICAL REVIEW B