(In,Ga)N/GaN 量子阱中局域激子的长相干动力学
介观与纳米尺度物理
2018-12-05 v1
摘要
我们研究了 100 周期、厚 2.5 nm、铟浓度 7.5% 的 (In,Ga)N/GaN 量子阱中局域激子的相干动力学,在 1.5 K 温度下通过双脉冲与三脉冲光子回波以光谱分辨率测量。在 (In,Ga)N 量子阱中观察到长寿命的相干激子动力学:当激光光子能量调谐跨越 43 meV 宽的非均匀增宽共振线时,相干时间 T2 在 45 至 255 ps 间变化,并随激子局域性增强而增加。相应的窄均匀线宽介于 5.2 至 29 {\mu}eV,以及相对弱的激子-声子相互作用(0.8 {\mu}eV/K),证实了在 (In,Ga)N 量子阱层内静态无序势中强量子点般的激子局域化。
引用
@article{arxiv.1809.08061,
title = {Long coherent dynamics of localized excitons in (In,Ga)N/GaN quantum wells},
author = {S. V. Poltavtsev and I. A. Solovev and I. A. Akimov and V. V. Chaldyshev and W. V. Lundin and A. V. Sakharov and A. F. Tsatsulnikov and D. R. Yakovlev and M. Bayer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.08061},
year = {2018}
}
备注
4 figs