窄带隙 HgTe 量子阱中的等离激元复合
介观与纳米尺度物理
2020-11-02 v1
摘要
在考虑电子极化率空间色散的情况下，计算了窄带隙 HgTe/CdHgTe 量子阱中二维等离激元的色散律。在带隙能量尺度上，等离激元频率对波矢的依赖关系被证明接近于线性，这显著改变了对应于“开启”带等离激元发射的载流子复合的非平衡电子-空穴气的临界浓度。已计算出带等离激元发射的复合速率。
引用
@article{arxiv.2010.16120,
title = {Plasmon recombination in narrowgap HgTe quantum wells},
author = {V Ya Aleshkin and G Alymov and A A Dubinov and V I Gavrilenko and F Teppe},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.16120},
year = {2020}
}