HgTe 量子阱中二维电子的负极化率

V. Ya. Aleshkin; A. V. Germanenko; G. M. Minkov; A. A. Sherstobitov

doi:10.1016/j.physe.2020.114606

HgTe 量子阱中二维电子的负极化率

介观与纳米尺度物理 2023-08-02 v1 材料科学

作者: V. Ya. Aleshkin , A. V. Germanenko , G. M. Minkov , A. A. Sherstobitov

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摘要

本文计算了占据 CdTe/Cd $_x$ Hg $_{1-x}$ Te/CdTe 量子阱中空间量子化最低子带的电子的极化率。结果表明，无镉量子阱中的极化率为负，即电子在垂直于量子阱平面施加的电场中的位移方向与作用于其上的力方向相反。二维电子的负极化率可使量子阱的介电常数降低高达 $(10-15)$ 个百分点。

关键词

负极化率二维电子 HgTe 量子阱介电常数空间量子化

引用

@article{arxiv.1903.01204,
  title  = {Negative polarizability of 2D electrons in HgTe quantum well},
  author = {V. Ya. Aleshkin and A. V. Germanenko and G. M. Minkov and A. A. Sherstobitov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1903.01204},
  year   = {2023}
}

备注

4 pages, 4 figures

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