窄带隙 CdHgTe 量子阱中共挃带结构的掺杂离子化
材料科学
2026-01-19 v1
摘要
在电子亚带接近带隙能量的 CdHgTe 量子阱中计算了掺杂离子化概率。这种带结构使得第二亚带电子进行掺杂离子化时可实现小动量传递。该研究表明，与电子位于第一亚带的掺杂离子化概率相比，此类过程将掺杂离子化概率提高约两个数量级，因为第一亚带电子的能级跃迁无法实现小动量变化。估计了由于光子发射导致的电子能量损失中发生单次掺杂离子化的概率。讨论了探测此种结构掺杂离子化的实验方法。
关键词
引用
@article{arxiv.2601.11198,
title = {Impact ionization in narrow band gap CdHgTe quantum well with "resonant" band structure},
author = {V. Ya. Aleshkin and A. A. Dubinov and V. V. Rumyantsev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.11198},
year = {2026}
}