窄 GaAs/AlGaAs 量子阱中二维电子 g 因子符号反转的探测

通过连续波偏振分辨光致发光光谱法，我们证明了随着宿主 GaAs/Al$_{0.33}$Ga$_{0.67}$As 量子阱（QW）变窄，二维电子 g 因子的 $g_z$ 分量发生了符号反转。分析了谱线之间的能量分裂，这些谱线对应于来自电子最低朗道能级的复合并具有相反的圆偏振。由于交换相互作用，该值在电子填充因子 $\nu=3$ 附近作为磁场强度的函数显示出最大值或最小值。极值的实际类型取决于电子 $g_z$ 分量的符号。该方法能够探测电子 Lande g 因子的符号反转，其绝对值变化小于 $\Delta g \approx 0.06$。反转发生在 ($65\pm 3$ \AA) 的量子阱宽度处。