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利用电容谱测定 InAs 二维电子系统中的 g 因子

介观与纳米尺度物理 2020-05-20 v1 材料科学

作者: Hiroshi Irie , Takafumi Akiho , Koji Muraki

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摘要

我们利用一种基于电容谱的新方法测定了二维电子气(2DEG)的有效 g 因子( $|g^\ast|$ )。在面内磁场下测量的 InAs/AlGaSb 量子阱中 2DEG 的电容-电压曲线呈现出双台阶特征,表明子带边缘发生了塞曼分裂。该方法可同时且独立地确定 $|g^\ast|$ 和有效质量 $m^\ast$ 。数据表明,InAs 层中的双轴拉伸应变对 $m^\ast$ 和 $g^\ast$ 均有显著影响。我们的方法提供了一种确定 $|g^\ast|$ 的手段,是对常用重合技术的补充。

关键词

电容谱二维电子气有效 g 因子 InAs 量子阱塞曼分裂双轴拉伸应变

引用

@article{arxiv.2005.09355,
  title  = {Determination of $g$-factor in InAs two-dimensional electron system by capacitance spectroscopy},
  author = {Hiroshi Irie and Takafumi Akiho and Koji Muraki},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2005.09355},
  year   = {2020}
}

备注

5 pages, 5 figures