HgTe量子阱中零模朗道能级光学跃迁的多体效应
介观与纳米尺度物理
2020-08-05 v2 材料科学
摘要
我们报道了具有反带序的不同电子浓度下HgTe量子阱的远红外磁光谱。我们特别关注从零模朗道能级出发的光学跃迁，这些能级从类电子带和类空穴带的边缘分裂出来。我们观察到跃迁能量对由持久光电导效应改变的电子浓度有显著的依赖关系。这是一个惊人的证据，表明除了已有充分文献记载的晶体和界面不对称性之外，电子-电子相互作用也对零模朗道能级光学跃迁的通常行为有显著影响。
引用
@article{arxiv.1912.04818,
title = {Many-particle effects in optical transitions from zero-mode Landau levels in HgTe quantum wells},
author = {S. S. Krishtopenko and A. M. Kadykov and S. Gebert and S. Ruffenach and C. Consejo and J. Torres and C. Avogadri and B. Jouault and W. Knap and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretskii and F. Teppe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.04818},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 4 figures and supplemental materials