Mn掺杂HgTe量子阱中的回滞拓扑相
介观与纳米尺度物理
2012-05-07 v1
摘要
掺杂Mn的HgTe量子阱由于Mn离子的磁矩而表现出量子反常霍尔效应。在磁场存在下，这些磁矩诱导出有效的非线性塞曼效应，导致朗道能级的非单调弯曲。因此，随着磁场增加，量子化（自旋）霍尔电导率表现出回滞行为。这里，我们将基于有效四带模型中朗道能级谱的定性形式，讨论不同类型的回滞行为随Mn浓度、阱宽和温度的变化。
引用
@article{arxiv.1203.1491,
title = {Reentrant topological phases in Mn-doped HgTe quantum wells},
author = {W. Beugeling and C. X. Liu and E. G. Novik and L. W. Molenkamp and C. Morais Smith},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.1491},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 3 figures