HgTe 量子阱的量子电容作为拓扑相的指示器
介观与纳米尺度物理
2016-06-22 v2
摘要
在 HgTe/CdTe 异质结构中改变量子阱宽度可以实现正常和反转型半导体能带结构，这使其成为研究二维 (2D) 拓扑绝缘体行为的原型系统。我们已经在两种体制下计算了电子掺杂情形的零温度热力学态密度 ，其中在 Hartree-Fock 近似下处理相互作用。在反转型和正常型情况下，揭示了 的密度依赖性的明显不同行为，使得通过测量诸如量子电容或电子压缩率等宏观可观测量来检测系统的拓扑序成为可能。我们的结果确立了 HgTe 量子阱中的 2D 电子系统在其集体电子性质方面的独特性。
引用
@article{arxiv.1603.07784,
title = {Quantum capacitance of an HgTe quantum well as an indicator of the topological phase},
author = {T. Kernreiter and M. Governale and U. Zülicke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.07784},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 7 figures, v2: minor changes, version to appear as Rapid Communication in Phys. Rev. B