半导体量子阱中稠密电子-空穴磁等离子体超荧光的积分时间证据
介观与纳米尺度物理
2009-07-28 v2
摘要
半导体中电子-空穴等离子体的合作自发复合（超荧光）由于超快退相干而难以观测。我们认为超荧光可以在量子限制半导体系统中实现，并提供了在高磁场（> 20 T）下量子阱中高密度光激发电子-空穴等离子体产生超荧光的实验证据。在临界磁场强度和激发通量下，我们观察到带边光致发光从全向输出到随机方向但高度准直光束的明显转变。发射光谱的线宽、载流子密度和磁场标度的变化与随机方向性的出现精确相关，并与合作复合一致。我们进一步研究了光斑尺寸、温度和激发几何形状对发射特性的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607022,
title = {Time-Integrated Evidence for Superfluorescence from Dense Electron-Hole Magneto-Plasmas in Semiconductor Quantum Wells},
author = {Y. D. Jho and X. Wang and J. Kono and D. H. Reitze and A. A. Belyanin and V. V. Kocharovsky and Vl. V. Kocharovsky and G. S. Solomon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607022},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 6 figures, to be submitted to PRB