直接带隙半导体中的光子激励超快电子空穴等离子体扩张
材料科学
2024-10-23 v1
摘要
使用时域太赫兹光谱技术用于探讨电子空穴等离子体在强光激发下在GaAs和InP中的形成及其超快远距离传播。观察到的现象涉及电子空穴系统与光的基本相互作用，这些现象在两种不同 regime 中体现：一种是协同的，等离子体传播速度可达光速的 1/10（在 GaAs 20 K 时），另一种是非协同的，最高可达光速的 1/25（在 InP 20 K 时），两者均超过 100 微米的宏观距离。我们通过考察两种材料、调节其带隙温度以及控制光泵浦强度来探索广泛的实验条件。我们的解释表明，这些现象应发生于强光激发且剩余能量较低的大多数直接带隙半导体中。
引用
@article{arxiv.2409.20121,
title = {Photon-assisted ultrafast electron-hole plasma expansion in direct band semiconductors},
author = {T. Troha and F. Klimovič and T. Ostatnický and H. Němec and P. Kužel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.20121},
year = {2024}
}