无序 InGaN 中通过复合速率的关联降低提升光发射效率
光学
2024-10-31 v1 无序系统与神经网络
材料科学
应用物理
摘要
实验表明，氮化铟镓（InGaN）发光二极管的发光效率随铟浓度增加而提高。人们普遍认为，铟掺入引起的组分涨落抑制了载流子向非辐射中心的扩散，从而导致缺陷不敏感发光。然而，近期实验通过揭示室温下出乎意料长的扩散长度对这一假设提出挑战。在此，我们展示了一种替代机制，涉及辐射与非辐射复合速率的关联降低，其在不借助抑制载流子扩散的情况下解释了 InGaN 发光效率随铟浓度增加而上升的现象。我们的分析挑战了载流子局域化导致 InGaN 缺陷容忍的观点。
引用
@article{arxiv.2311.03643,
title = {Increased light-emission efficiency in disordered InGaN through the correlated reduction of recombination rates},
author = {Nick Pant and Emmanouil Kioupakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.03643},
year = {2024}
}