决定InGaN/GaN多量子阱发光二极管中载流子分布的因素
应用物理
2018-07-04 v1
摘要
通过光致发光和温度依赖的电致发光光谱，研究了决定InGaN/GaN多量子阱（MQW）发光二极管（LED）中载流子分布的因素。利用双色LED器件，我们证明载流子复合率应被视为在决定MQW有源区中载流子分布方面起重要作用，而不仅仅是简单的空穴特性（如低迁移率和大有效质量）。
引用
@article{arxiv.1705.09559,
title = {Factors Determining the Carrier Distribution in InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diodes},
author = {Dong-Pyo Han and Jong-In Shim and Dong-Soo Shin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.09559},
year = {2018}
}
备注
19 pages