氮化铟镓量子点：随机合金涨落对偏振纠缠光子发射的影响

我们借助原子级多体框架分析了 $c$ 面 InGaN/GaN 量子点在偏振纠缠光子发射方面的潜力。我们特别关注随机合金涨落对激子精细结构与激子束缚能的影响。我们的计算表明，只要潜在的 $C_{3v}$ 对称性得以保持，$c$ 面 InGaN/GaN 量子点就是高温纠缠光子发射的理想候选者。然而，当假设量子点内存在随机合金涨落时，我们的原子级计算揭示：尽管大的激子束缚能仅受轻微影响，但 $C_{3v}$ 对称性基本因合金涨落而丧失。我们发现这种对称性丧失显著影响了激子精细结构。所观察到的精细结构变化及伴随的光偏振特征，对通过双激子-激子级联实现偏振纠缠光子对发射具有有害效应。在此，我们还讨论了可利用大激子束缚能的替代方案，以在较高温度下实现 $c$ 面 InGaN/GaN 量子点的非经典光发射。