GaN 纳米线上 m-plane InGaN 量子点的超快、偏振、单光子发射
介观与纳米尺度物理
2017-03-08 v2 材料科学
量子物理
摘要
我们展示了嵌入在 GaN 纳米线侧壁上的自组装 m-plane InGaN 量子点 (QDs) 的单光子发射。结合电子显微镜、阴极发光、时间分辨微光致发光 (micro-PL) 和光子自相关实验，对 QDs 的结构和光学性质进行了全面评估。该 QD 在高达 100 K 时表现出反聚束发射，在 5 K 时测得的自相关函数为 g^2(0) = 0.28 (0.03)。对具有统计显著性数量的 QDs 的研究表明，这些 m-plane QDs 表现出非常快的辐射寿命 (260 +/- 55 ps)，表明其内部场小于此前报道的任何 c-plane 和 a-plane QDs。此外，观察到的单光子几乎是完全线性偏振的，偏振方向垂直于晶体学 c 轴，线性偏振度为 0.84 +/- 0.12。这种结合在纳米线系统中的 InGaN QDs 满足了将其应用于量子信息系统的许多要求，并有可能为全新的器件概念打开大门。
引用
@article{arxiv.1609.07973,
title = {Ultrafast, polarized, single-photon emission from m-plane InGaN Quantum Dots on GaN nanowires},
author = {Tim J. Puchtler and Tong Wang and Christopher X. Ren and Fengzai Tang and Rachel A. Oliver and Robert A. Taylor and Tongtong Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.07973},
year = {2017}
}