胶体 InP/ZnSe 量子点实现近乎无闪烁、高纯度单光子发射
介观与纳米尺度物理
2017-11-22 v1 量子物理
摘要
采用改进合成方法最近制备的胶体核/壳 InP/ZnSe 量子点作为单光子发射体，在生命科学应用以及集成量子光子学和量子信息处理方面具有巨大潜力。对具有 3.2 nm 核的 10 nm 量子点进行的单颗粒光谱研究揭示了强光子反聚束效应，这归因于多激子的快速（70 ps）Auger 复合。这些量子点在强光激发下表现出极好的光稳定性。我们证明，当量子点在基本激子跃迁的饱和强度之上被激发时，反聚束效应得以保持。这一结果为将其用作室温下高纯度按需单光子发射体铺平了道路。出乎意料的是，尽管存在强 Auger 阻塞机制，InP/ZnSe 量子点也表现出极少的发光间歇性（“闪烁”），并具有简单的开/关闪烁模式。单颗粒发光统计分析将这些 InP/ZnSe 量子点归入近乎无闪烁量子点类别，其发射稳定性可与最先进的厚壳和合金界面 CdSe/CdS 相媲美，但单光子纯度更高。
引用
@article{arxiv.1706.07609,
title = {Nearly Blinking-Free, High-Purity Single-Photon Emission by Colloidal InP/ZnSe Quantum Dots},
author = {Vigneshwaran Chandrasekaran and Mickaël D. Tessier and Dorian Dupont and Pieter Geiregat and Zeger Hens and Edouard Brainis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.07609},
year = {2017}
}
备注
15 pages, 5 figures