用于片上平面内可见光通信的InGaN/GaN多量子阱二极管的同时发光与探测
光学
2017-02-01 v1
摘要
本文介绍了单片集成的p-n结InGaN/GaN多量子阱二极管（MQWDs）和悬空波导的设计、制造和实验表征。悬空MQWDs可同时用作发射器和接收器，悬空波导用于光耦合以创建平面内可见光通信系统。与带有分离沟槽的波导相比，连续波导的计算总光效率从18%提高到22%。MQWDs以其典型的电流-电压性能为特征，脉冲激励测量证实InGaN/GaN MQWDs能够同时实现发光和光探测。光电流测量表明光电流受偏置电压调制，且光子由另一发射器提供。实验演示表明，所提出的器件适用于使用可见光的平面内全双工通信。
引用
@article{arxiv.1607.01455,
title = {Simultaneous light emission and detection of InGaN/GaN multiple quantum well diodes for in-plane visible light communication on a chip},
author = {Yongjin Wang and Yin Xu and Yongchao Yang and Xumin Gao and Bingcheng Zhu and Wei Cai and Jialei Yuan and Rong Zhang and Hongbo Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.01455},
year = {2017}
}