通过三维 GaN 六边形环形微结构实现多色宽带可见光源
介观与纳米尺度物理
2014-02-25 v1 材料科学
摘要
通过选择性区域外延生长，制备了具有 InGaN/GaN 多量子阱 (MQWs) 的发射宽带可见光的三维六边形环形微结构。单个六边形环形结构不仅由顶面的极性 (0001) 面组成，还包括内壁和外壁上的半极性 {10-11} 和 {11-22} 面，表现出由形成于不同面上的 InGaN/GaN MQWs 产生的多色可见光发射。(0001) 面上的 InGaN MQWs 由于较大的阱厚度和较高的 In 组分而发射较长波长（绿色），而 {10-11} 和 {11-22} 半极性面上的 MQWs 由于较小的阱厚度和较小的 In 组分而产生高效较短波长（紫色到蓝色）发射。通过结合依赖于不同面的多种颜色发射，可以实现高效宽带可见光发射。由于 (0001) 面上的内建电场，发射颜色可随激发功率密度而变化，这一点已通过时间分辨发光实验得到证实。六边形环形结构可作为高效宽带可见光源的关键构建模块，为之前与无荧光粉白光发射器件制造相关问题提供了解决方案。
引用
@article{arxiv.1402.5917,
title = {Multi-color broadband visible light source via three-dimensional GaN hexagonal annular microstructures},
author = {Young-Ho Ko and Jie Song and Benjamin Leung and Jung Han and Yong-Hoon Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.5917},
year = {2014}
}
备注
4 figures