非极性立方InGaN/GaN多量子阱的室温绿光发射
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过利用自支撑3C-SiC (001)衬底并优化InGaN量子阱生长，实现了具有高结构质量和光学质量的立方InGaN/GaN多量子阱(MQWs)。X射线衍射中清晰分辨出高达5级的超晶格峰。我们观察到来自c-InxGa1-xN/GaN MQWs (x=0.16)的明亮绿色室温光致发光(PL)。在300 K时，PL发射的半高全宽约为240 meV。PL强度随阱厚增加而增加，这证明限制了纤锌矿III族氮化物器件性能的极化场不存在。过剩载流子的扩散长度约为17 nm。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702100,
title = {Room temperature green light emissions from nonpolar cubic InGaN/GaN multi quantum wells},
author = {S. F. Li and J. Schoermann and D. J. As and K. Lischka},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702100},
year = {2007}
}