GaN/AlN 量子阱的生长与光学性质
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们通过等离子体辅助分子束外延技术，利用 Ga 的表面活性剂效应，展示了 GaN/AlN 量子阱结构的生长。GaN/AlN 量子阱显示出光致发光，其中光子能量范围为 4.2 到 2.3 eV，量阱宽度分别为 0.7 到 2.6 nm。从发射能随量阱宽度的依赖关系推算得出，内部电场强度为 MV/cm。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0304124,
title = {Growth and optical properties of GaN/AlN quantum wells},
author = {C. Adelmann and E. Sarigiannidou and D. Jalabert and Y. Hori and J. -L. Rouviere and B. Daudin and S. Fanget and C. Bru-Chevallier and T. Shibata and M. Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0304124},
year = {2009}
}
备注
Submitted to APL