宽 InGaN 量子阱中激发态间的高效光学跃迁
应用物理
2018-10-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
目前缺乏在绿色光谱区工作的高效发光器件（LED）。基于 (In,Al)GaN 的器件在紫光和蓝光下表现出极高效率，但由于量子限制斯塔克效应（QCSE），在更长发射波长下表现不足。在本文中，我们提出了一种基于宽 InGaN 量子阱（QW）的有源区设计，其不受 QCSE 影响，并得益于内量子效率（IQE）的提升。该设计利用激发态间的高效光学跃迁。研究表明，反直觉地，具有更高 InGaN 组分的器件在 IQE 上表现出更高的增强。实验证据表明，随着 QW 厚度增加，光学跃迁的性质发生渐变。此外，研究了包含标准与宽 QW 的长波长 LD 中的光学增益，以展示我们概念的应用。
引用
@article{arxiv.1810.07612,
title = {Highly efficient optical transition between excited states in wide InGaN quantum wells},
author = {Grzegorz Muziol and Henryk Turski and Marcin Siekacz and Krzesimir Szkudlarek and Lukasz Janicki and Sebastian Zolud and Robert Kudrawiec and Tadeusz Suski and Czeslaw Skierbiszewski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.07612},
year = {2018}
}
备注
24 pages, 11 figures