绿色 InGaN/GaN LED：高亮度与蓝移
应用物理
2019-03-19 v1
摘要
本文报道了基于 InGaN/GaN 的绿色微型发光二极管 ({\mu}LEDs) 的电光结果。电流-光-电压测量揭示，外量子效率 (EQE) 随电荷注入的变化行为并不遵循 ABC 模型预测。通过光致发光mapping进行的发光均匀性研究表明，量子限制斯塔克效应 (QCSE) 在 {\mu}LEDs 边缘处较弱。电致发光显示在高载流子注入水平下出现随后的绿到蓝颜色偏移。不同电流注入水平下提取的光谱趋于显示离散波长发射的出现。这些观察结果可能加强了如下假设：InGaN 量子阱中更高能量的激发能级也可能对蓝移有贡献，而蓝移此前仅被归因于强电场量级下 QCSE 的减弱。我们在此呈现关于绿色 {\mu}LEDs 电光性能与其尺寸相关的初步结果。
引用
@article{arxiv.1903.07535,
title = {Green InGaN/GaN LEDs: High luminance and blue shift},
author = {Anis Daami and François Olivier and Ludovic Dupré and Christophe Licitra and Franck Henry and François Templier and Stéphanie Le Calvez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.07535},
year = {2019}
}