InGaN 偏振单光子源中辐射寿命的缩短与慢时间尺度光谱扩散的减少
介观与纳米尺度物理
2019-09-20 v1 材料科学
摘要
非极性 (11-20) a 面量子点 (QD) 是实现 200 K 以上片上超快偏振单光子产生和高温半导体量子点光物理研究的有力候选者。在这项工作中，我们报告了采用准双温法生长 a 面 InGaN 量子点的进展，该方法可产生光滑的外延层，并显著减少了量子点附近的载流子俘获位点。光学表征证实了此类量子点发射偏振单光子的能力，并且我们记录到，与之前的量子点相比，平均辐射寿命缩短了约 45%，慢时间尺度光谱扩散减少了 65%。这种生长方法是非极性 a 面 InGaN 平台的一项重要发展，为单光子、激光和基础研究开辟了更多可能性。
引用
@article{arxiv.1909.09056,
title = {Reduction of radiative lifetime and slow-timescale spectral diffusion in InGaN polarized single-photon sources},
author = {Tong Wang and Tongtong Zhu and Tim J. Puchtler and Claudius C. Kocher and Helen P. Springbett and John C. Jarman and Luke P. Nuttall and Rachel A. Oliver and Robert A. Taylor},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.09056},
year = {2019}
}