二维光子晶体中单量子点自发辐射率的控制
量子物理
2009-11-11 v3
摘要
我们在一个具有改良高 Q 单缺陷腔的二维光子晶体中，观察到单个 InAs 量子点（QD）的巨大自发发射率改变。与体半导体中的 QD 相比，与腔共振的 QD 发射率提升至最高 8 倍。相反，非共振 QD 因光子晶体中光学态局域密度（LDOS）的降低而显现出最高五倍的速率淬灭。在这两种情况下，我们均展示了光子反聚束，表明该结构代表一种按需单光子源，脉冲时长从 210 ps 至 8 ns。我们利用时域有限差分（FDTD）模拟解释了 QD 发射率的抑制，并与实验吻合良好。
引用
@article{arxiv.quant-ph/0501091,
title = {Controlling the Spontaneous Emission Rate of Single Quantum Dots in a 2D Photonic Crystal},
author = {Dirk Englund and David Fattal and Edo Waks and Glenn Solomon and Bingyang Zhang and Toshihiro Nakaoka and Yasuhiko Arakawa and Yoshihisa Yamamoto and Jelena Vuckovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:quant-ph/0501091},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 6 figures