(In,Ga)N量子阱系统中单极性空穴输运的多尺度模拟
介观与纳米尺度物理
2021-11-03 v1
摘要
理解合金微观结构对载流子输运的影响在设计III族氮化物LED结构时变得重要。本文研究了合金涨落对(In,Ga)N单量子阱和多量子阱系统中空穴载流子输运的影响。为了将空穴输运与电子输运和载流子复合过程分离，我们重点关注单极性(p-i-p)系统。计算采用我们近期建立的多尺度模拟框架，该框架将原子紧束缚理论与宏观漂移扩散模型相连接。除了合金涨落，我们特别关注量子修正对空穴输运的影响。计算表明，虚拟晶体近似的结果在电流-电压特性方面给出了p-i-p结构中空穴输运的上限。因此我们发现合金涨落可能对(In,Ga)N量子阱系统中的空穴输运产生不利影响，这与单极性电子输运相反。然而，我们的研究也揭示了随机合金结果偏离虚拟晶体近似数据的程度取决于多个因素，例如输运计算中如何处理量子修正。
引用
@article{arxiv.2111.01644,
title = {Multiscale simulations of uni-polar hole transport in (In,Ga)N quantum well systems},
author = {Michael O'Donovan and Patricio Farrell and Timo Streckenbach and Thomas Koprucki and Stefan Schulz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.01644},
year = {2021}
}
备注
13 pages, 12 figures, submitted to Optical and Quantum Electronics - Topical Collection for NUSOD 2021