量子霍尔效应中的涡落与电荷效应证据
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们发现，硅 MOSFETs 在量子霍尔态下的介观电导涡落显示出简单且显著的模式. 这些涡落归入若干distinct组别，这些组别在栅压-磁场平面上沿着整数填充因子所在的直线移动. 此外，量子霍尔相变处的涡落与零磁场低密度处的涡落之间存在关联. 这些现象最自然地归因于电荷效应. 我们认为它们是整数量子霍尔效应中直流输运相互作用的第一次明确表现.
引用
@article{arxiv.cond-mat/9902154,
title = {Quantum Hall fluctuations and evidence for charging in the quantum Hall effect},
author = {David H. Cobden and C. H. W. Barnes and C. J. B. Ford},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9902154},
year = {2009}
}
备注
4 pages RevTeX including 4 postscript bitmapped figures