电阻波动存在下的量化霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v2
摘要
我们 presented 对mesoscopic二维电子体在高磁场下的实验研究。我们的样品由低迁移率的InGaAs/InAlAs晶片制得，表现出可重复且样品特定的电阻波动。我们聚焦于最低的劳利层，发现尽管对角电阻呈现强烈波动，横向电阻却无波动并保持在其 值 处。这一现象在终止量子霍尔系列的绝缘相中同样成立。这些结果将量子霍尔效应中的半圆律有效性扩展到了mesoscopic尺度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0205513,
title = {The quantized Hall effect in the presence of resistance fluctuations},
author = {E. Peled and D. Shahar and Y. Chen and D. L. Sivco and A. Y. Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0205513},
year = {2009}
}
备注
Includes more data, changed discussion