悬浮石墨烯两端测量中的整数和分数量子霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2011-08-22 v1 强关联电子
摘要
我们报告了在两端引线几何结构下探测悬浮石墨烯中量子化霍尔效应的观测结果。讨论了早期霍尔棒测量失败的原因，并将其归因于介观样品中电压探针的放置。在整数朗道能级填充因子序列2,6,10...之外发现了新的量子化态，以及一个分数填充因子 。这些态的存在通过两端电导中的平台揭示出来，这些平台在低至2特斯拉的磁场和低温下出现，并在12特斯拉下持续到20开尔文。借助理论模型从数据中提取的激发能隙，发现其显著大于基于砷化镓的电子系统中的激发能隙。
引用
@article{arxiv.0910.2518,
title = {Integer and Fractional Quantum Hall Effect in Two-Terminal Measurements on Suspended Graphene},
author = {I. Skachko and X. Du and F. Duerr and A. Luican and D. A. Abanin and L. S. Levitov and E. Y. Andrei},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.2518},
year = {2011}
}
备注
17 pages, 4 figures