超薄体双栅场效应管中的能带结构效应：全带分析

Kausik Majumdar; Navakanta Bhat

doi:10.1063/1.2937186

超薄体双栅场效应管中的能带结构效应：全带分析

介观与纳米尺度物理 2015-05-18 v1 材料科学

作者: Kausik Majumdar , Navakanta Bhat

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摘要

本文讨论了超薄体双栅NMOSFET中源于薄膜Si沟道能带结构的几个独特效应。能带结构采用10轨道 $sp^3d^5s^*$ 紧束缚法进行计算。由计算出的能带结构推导出了一系列本征性质，包括带隙、态密度、本征载流子浓度和抛物线有效质量。分析了由不同贡献子能带的波函数引起的本征载流子浓度和 $<100>$ 有效质量的空间分布。在考虑全带结构的情况下，获得了Poisson-Schrodinger耦合方程的自洽解，并将其应用于对体反演的深入分析。计算了DGFET沟道上载流子的空间分布，并讨论了其对有效质量和沟道电容的影响。

关键词

超薄体双栅场效应管能带结构紧束缚法体反演有效质量 Poisson-Schrodinger方程

引用

@article{arxiv.1003.5298,
  title  = {Bandstructure Effects in Ultra-Thin-Body DGFET: A Fullband Analysis},
  author = {Kausik Majumdar and Navakanta Bhat},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5298},
  year   = {2015}
}

备注

13 pages, 21 figures

超薄体双栅场效应管中的能带结构效应：全带分析

摘要

关键词

引用

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